Le transistor bipolaire :

Il s'agit d'interrupteurs commandés à l'amorçage et au blocage. On les trouve notamment dans les hacheurs. La mise en conduction et le blocage sont commandés par l'intermédiaire du courant de base. On utilise essentiellement des transistors NPN.

Lorsqu'on l'utilise en commutation et qu’il est passant, le transistor fonctionne dans la zone de saturation.

Lorsque I_b est nul, le courant d'émetteur reste nul.

En revanche, pour un courant de base I_b positif, on fait en sorte que le transistor fonctionne en zone saturée (cela dépend du courant que l'on cherche à imposer). Dans ces conditions, la tension aux bornes de l'interrupteur est faible, ce qui est compatible avec ce type de fonctionnement ( V_ce = 0,2V )

Pour simplifier l'analyse, on utilise souvent une caractéristique statique idéalisée.

  Transistors MOS :

Suivant le signe de V_GS, le courant I_D va pouvoir passer (interrupteur fermé) ou pas (interrupteur ouvert).

Pour V_DS ³ 0 :

• si V_GS £ 0, pas de courant qui circule entre drain et source, car la jonction PN entre la zone N de drain et la zone P est polarisée en inverse donc I_D = 0;
• si VGS > 0, création du canal N induit à la surface de la zone P, ce canal relie le drain à la source doncI_D > 0.

Ces transistors se commandent en tension et permettent une fréquence de commutation élevée.

Mais les pertes sont importantes car à l'état passant, le transistor MOS est équivalent à une résistance R_DSon.

  Transistors IGBT : (Insulated Gate Bipolar Transistor =Transistor bipolaire à grille isolée)

Le transistor IGBT combine les avantages du transistor bipolaire et du MOSFET :

• bipolaire Þ faibles pertes en conduction;
• MOSFET Þ temps de commutation faible.

Caractéristique statique idéalisée